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多孔陶瓷—SEM样本制备

徕卡EM RES102的使用说明 - 材料研究

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孔径小于几纳米的陶瓷膜过滤器必须在横截面上研究孔隙结构。最小的孔隙特别令人感兴趣。

在大多数情况下,传统的削洗方法不能用于这些问题,因为孔隙结构会扭曲。这尤其适用于纳米范围内的孔隙。削洗会使其模糊不清,导致其在显微镜下无法识别。另一方面,这种材料的SEM研究是极其困难的,因为我们感兴趣的结构位于分辨率的极限,并且,作为绝缘体,陶瓷也限制了分辨率。

使用斜坡切割,可以产生穿过完整层状结构的横截面,然后在扫描电子显微镜中进行检查。

制备条件:机械预制备
对横截面进行削洗,以获得平面和表面与横截面之间的90°角。

离子铣削

样品托: 45°斜面切割夹持器
加速电压: 7 kV
研磨时间: 180 - 220 分钟
样品移动: 震荡 (60°)

理由
利用离子束截面切割,成功地制作了完整结构的膜滤器清洁切割。可清晰识别不同孔径的层状结构。孔隙结构未因离子束入射而扭曲,与斜率平行。即使是几纳米的孔隙也可以在扫描电子显微镜中分辨出来。

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