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半导体晶圆加工、集成电路封装、集成电路组装和测试

徕卡显微系统公司的定制化、模块化成像解决方案可帮助供应商和设备制造商在晶圆加工、集成电路封装、集成电路组装和测试中快速而精确地进行检测和分析。 证明在半导体器件制造过程中符合既定规范对于确保可靠性至关重要。 为了证明已达到生产优质半导体器件所要求的洁净度和最低缺陷率,准确的图像记录必不可少。 但是,对尖端、高性能技术的开发需求是源源不断的,因此这些成像系统也预计会对研发起到促进作用。

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观察纳米级细节的快速高分辨率成像

我们的成像系统可以准确而快速地检测和分析晶圆的表面,帮助确保您制造的半导体器件发挥最佳性能。 但是,进行表面计量时可能会遇到以下关键挑战: 晶圆表面可能具有高坡度的复杂结构,需要出色的横向分辨率,或者有微小的峰谷起伏,需要亚纳米级垂直分辨率。 利用共聚焦显微成像和干涉模式成像的徕卡成像系统可以为您提供高横向分辨率(最小140纳米)和垂直分辨率(最小0.1纳米),并且可以快速采集图像(以秒计)。

半导体晶圆加工、集成电路封装与组件产品

按应用领域筛选

DM3 XL

微电子和半导体用检验系统

Leica DM2700M

Leica DM2700 M 正置金相显微镜

LED照明技术全面应用于明场,暗场,微分相差干涉,偏光或荧光观察模式,一体化内置式倾斜照明最大程度的提高了表面形貌和缺陷的可视化效果

高产能 8" 检查及缺陷分析系统 - Leica DM8000 M

Leica DM8000 M 工业显微镜

内置一体化的LED照明保证了超长使用寿命和低能耗性,同时宏观检查模式和倾斜紫外光模式(OUV)不仅提高了分辨率还提高了检查 8”/200 毫米直径样品时工作效率。

Leica DM12000 M 工业显微镜

主要用于12”/300 毫米直径样品精密的观察和复检系统。

对于非常光滑的晶圆表面,干涉成像可以最小0.1纳米的分辨率呈现表面结构。 整个扫描时间不到3秒。

对比方法: 晶圆局部图像:a) 快速生成表面概览图, b) 明场检测颗粒,c) 暗场检测细微划痕,以及 d) 通过微分干涉差(DIC)检测透明薄膜上的缺陷。 每种照明模式下的成像在几秒钟内完成。

使用不同对比方法和一流光学元件更轻松地观察更多细节

使用我们的成像系统,您可以更轻松地观察难以成像的晶圆特征,从而更加高效准确地进行晶圆检测和质量控制。 图像对比度和细节分辨的质量在很大程度上取决于所用的照明和光学元件。 因此,选择合适的照明对比方法,并使用经过最佳校正的高性能光学元件是至关重要的。 不同的晶圆和器件特性,例如涂层、污物、刮痕和缺陷等,与其他方法相比,单照明对比方法更能增强观察效果。

高性能光学元件

使用高质量光学元件可以更高效地检测晶圆和半导体器件,因为您只需花费较少的精力便可观察到微小的细节。 徕卡显微系统公司的成像系统使用性能卓越的获奖光学元件,可生成无失真图像。 光学元件可能会出现2种需要校正的像差:

  • 单色(不受光波长[颜色]的影响) ,如散光、彗差和场曲
  • 多色(取决于光波长)。

我们的光学设计师和工程师提供性能卓越的光学元件,使您能够以最佳的对比度和分辨率检测晶圆和器件。